30A,200V, 0.073 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 30 آمپر فیلیپین
RDS(on) = 0.075
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
international rectifier
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
تعیین کننده نوع: IRFP250N
نوع
ترانزیستور:
ماسفتنوع کانال کنترل: N-Channel
حداکثر اتلاف توان (Pd): وات 214
حداکثر ولتاژ منبع تخلیه |Vds|: ولت 200
حداکثر ولتاژ گیت-منبع |Vgs|: ولت 20
حداکثر ولتاژ دروازه-آستانه |Vgs(th)|: ولت 4
حداکثر جریان تخلیه |Id|: آمپر 30
حداکثر دمای اتصال (Tj): درجه سانتیگراد 175
شارژ کل گیت (Qg): 123 nC
زمان افزایش (tr): 43 nS
ظرفیت خازنی منبع تخلیه (Cd): 315 pF
حداکثر مقاومت در حالت منبع تخلیه (Rds): اهم 0.075
بسته بندی: TO247AC
IRFP250N MOSFET Datasheet
Type Designator: IRFP250N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 214 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 30 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 123 nC
Rise Time (tr): 43 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 315 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.075 Ohm
Package: TO247AC
