ترانزیستور ماسفت IRF820 از نوع N-channel با پکیج TO220 و نصب dip با تحمل ولتاژ 500 ولت و جریان 2.5 آمپر و توان 3.1 وات می باشد.
تعیین کننده نوع:
IRF820نوع ترانزیستور:
ماسفتنوع کانال کنترل: N-Channel
حداکثر اتلاف توان (Pd): وات 50
حداکثر ولتاژ منبع تخلیه |Vds|: ولت 500
حداکثر ولتاژ گیت-منبع |Vgs|: ولت 20
حداکثر ولتاژ دروازه-آستانه |Vgs(th)|: ولت 4
حداکثر جریان تخلیه |Id|: آمپر 2.5
حداکثر دمای اتصال (Tj): درجه سانتیگراد 150
شارژ کل گیت (Qg): (حداکثر) 24 nC
زمان افزایش (tr): 8.6 nS
ظرفیت خازنی منبع تخلیه (Cd): 92 pF
حداکثر مقاومت در حالت منبع تخلیه (Rds): اهم 3
بسته بندی: TO220AB
Type Designator: IRF820
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 2.5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 24(max) nC
Rise Time (tr): 8.6 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 92 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3 Ohm
Package: TO220AB
