ترانزیستور IRF640 یک
ماسفت از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت و جریان 18 آمپر و توان 150 وات می باشد.
ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر
RDS(on) = 15mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
دیتاشیت ماسفت IRF640
تعیین کننده نوع:
IRF640نوع ترانزیستور:
ماسفتنوع کانال کنترل: N-Channel
حداکثر اتلاف توان (Pd): وات 125
حداکثر ولتاژ منبع تخلیه |Vds|: ولت 200
حداکثر ولتاژ گیت-منبع |Vgs|: ولت 20
حداکثر ولتاژ دروازه-آستانه |Vgs(th)|: ولت 4
حداکثر جریان تخلیه |Id|: آمپر 18
حداکثر دمای اتصال (Tj): درجه سانتیگراد 150
شارژ کل گیت (Qg): 36 nC
زمان افزایش (tr): (حداکثر) 60 nS
ظرفیت خازنی منبع تخلیه (Cd): (حداکثر) pF 750
حداکثر مقاومت در حالت منبع تخلیه (Rds): اهم 0.18
بسته بندی: TO220AB
IRF640 MOSFET Datasheet
Type Designator: IRF640
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 36 nC
Rise Time (tr): 60(max) nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 750(max) pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.18 Ohm
Package: TO220AB