ترانزیستور مهم ترین قطعه مداری در الکترونیک می باشد و به اصطلاح می توان آن را قلب تپنده مدارهای الکترونیکی دانست. ترانزییستورها از عناصری با نام نیمه هادی مانند سیلیکون و ژورمانیوم ساخته می شود و اگرچه میلیون ها ترانزیستور به صورت جداگانه و تکی استفاده می شوند اما اکثریت آن ها همراه دیودها، مقاومت ها، خازن ها و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار کامل الکترونیک کاربرد دارند. گاهی جهت تقویت ولتاژ یا جریان و گاهی در مدار به صورت کلید قطع و وصل مورد استفاده قرار می گیرد. عملکرد مهم ترانزیستور این است که می تواند مقدار هادی بودن خودر را تغییر بدهد یعنی هنگامی که یک هادی است می تواند هدایت خوبی داشته باشد و هنگامی که می خواهد مانند یک عایق عمل کند می تواند جریان بسیار کمی را از خود عبود دهد که این جریان بسیار ناچیز است. انواع مختلفی از ترانزیستورها وجود دارد. معروف ترین نوع ترانزیستور تحت عنوان ترانزیستور پیوندی دوقطبی BJT شناخته می شود. این ترانزیستورها دارای سه قطب بیس(Base)، کلکتور(Collector) و امیتر(Emitter) هستند. همچنین ترانزیستور های BJT از ترکیب دو دیود در انواع
NPN ,
PNP ساخته می شوند. نوع NPN این ترانزیستور که متعارف ترین گونه این ترانزیستور می باشد از قرار گرفتن یک نیمه هادی نوع P در بین دو نیمه هادی نوع N ساخته می شود، همچنین در این نوع، جریان از سمت کلتور به سمت امیتر حرکت کرده و توسط جریان بیس امیتر کنترل می شود در حالی که در نوع PNP با قرارگرفتن مواد نیمه هادی نوع N در بین نیمه هادی نوع P تولید می شود. جریان از امیتر به سمت کلکتور حرکت می کند و توسط جریان امیتر بیس کنترل می شود. ترانزیستور بی جی تی BD441 از نوع
NPN می باشد.
تعیین کننده نوع:
BD441جنس ترانزیستور: Si
قطبیت: NPN
حداکثر اتلاف توان کلکتور (Pc): 36 وات
حداکثر ولتاژ کلکتور-پایه |Vcb|: 80 ولت
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر |Vce|: 80 ولت
حداکثر ولتاژ امیتر-پایه |Veb|: 5 ولت
حداکثر جریان جمع کننده | حداکثر Ic|: آمپر 7
حداکثر دمای اتصال عملیاتی (Tj): 150 درجه سانتیگراد
فرکانس انتقال (فوت): 3 مگاهرتز
نسبت انتقال جریان رو به جلو (hFE)، MIN: 15
شکل نویز، dB: -
بسته بندی: TO220
Type Designator: BD441
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 36 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 3 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15
Noise Figure, dB: -
Package: TO220
